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雑誌
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号
111(425)-111(429):2012.2.7-2012.2.10
記事
CNFETにおけるh...
CNFETにおけるhigh-κゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響 (電子デバイス)
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CNFETにおけるhigh-κゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響
(電子デバイス)
国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
023494166
資料種別
記事
著者
鈴木 耕佑ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2012-02
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(425):2012.2.7・8
掲載ページ
p.83-87
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書誌情報
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書誌情報を出力
紙
資料種別
記事
タイトル
CNFETにおけるhigh-κゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響
著者・編者
鈴木 耕佑
大野 雄高
岸本 茂 他
シリーズタイトル
電子デバイス
著者標目
鈴木 耕佑
大野 雄高
岸本 茂
並列タイトル等
Charge distribution near interface of high-κ gate insulator in CNFETs
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
111(425):2012.2.7・8
掲載巻
111
掲載号
425
掲載ページ
83-87
掲載年月日(W3CDTF)
2012-02
ISSN(掲載誌)
0913-5685
ISSN-L(掲載誌)
0913-5685
出版事項(掲載誌)
東京 : 電子情報通信学会
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn
件名標目
カーボンナノチューブ
ALD
high-κ
ゲート絶縁膜
界面
carbon nanotube
gate insulator
interface
NDLC
ZN33
対象利用者
一般
レポート番号(雑誌記事)
ED2011-156
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Z16-940
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID(NDLBibID)
023494166
http://id.ndl.go.jp/bib/023494166
整理区分コード
632
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