電子・半導体共役系高分子の高次構造制御と薄膜トランジスタへの応用 (特集プリンテッド・エレクトロニクス材料 : エレクトロニクス製造における革命)

電子・半導体共役系高分子の高次構造制御と薄膜トランジスタへの応用

(特集プリンテッド・エレクトロニクス材料 : エレクトロニクス製造における革命)

国立国会図書館請求記号: Z74-C175
国立国会図書館書誌ID: 023834306

資料種別: 記事

著者: 熊木大介ほか

出版者: 東京 : エヌ・ティー・エス

出版年: 2012-06

資料形態: 紙

掲載誌名: 未来材料 = Expected materials for the future 12(6):2012.6

掲載ページ: p.2-7

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資料種別: 記事
タイトル: 電子・半導体共役系高分子の高次構造制御と薄膜トランジスタへの応用
著者・編者: 熊木大介
時任静士
シリーズタイトル: 特集プリンテッド・エレクトロニクス材料 : エレクトロニクス製造における革命
著者標目: 熊木大介
時任静士
タイトル（掲載誌）: 未来材料 = Expected materials for the future
巻号年月日等（掲載誌）: 12(6):2012.6
掲載巻: 12
掲載号: 6
掲載ページ: 2-7
掲載年月日（W3CDTF）: 2012-06
ISSN（掲載誌）: 1346-0986
ISSN-L（掲載誌）: 1346-0986
出版事項（掲載誌）: 東京 : エヌ・ティー・エス
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZM1
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z74-C175
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 023834306
http://id.ndl.go.jp/bib/023834306
整理区分コード: 632

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