2段フィールドプレートトレンチMOSFET開発におけるプロセスインテグレーション技術

• 資料種別: 記事
• タイトル: 2段フィールドプレートトレンチMOSFET開発におけるプロセスインテグレーション技術
• 著者・編者: 加藤 浩朗; 西口 俊史; 下村 紗矢; 白石 達也; 宮下 桂; 小林 研也
• シリーズタイトル: 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
• 著者標目: 加藤 浩朗; 西口 俊史; 下村 紗矢; 白石 達也; 宮下 桂; 小林 研也
• 並列タイトル等: Process Integration Technique in Development of Two-step-oxide Field-Plate Trench MOSFET
• タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2019(146-148・150-160):2019.11.28
• 掲載巻: 2019
• 掲載号: 146-148・150-160
• 掲載ページ: 13-18
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2019-11-28
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: トレンチ; フィールドプレート; MOSFET; 2段酸化膜; BPSG; BSG; 絶縁破壊; ウェーハ反り; trench; field plate; two-step-oxide; dielectric breakdown; wafer warpage
• NDLC: ZN32
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SPC-19-148
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z43-243
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 030118693; http://id.ndl.go.jp/bib/030118693
• 整理区分コード: 632