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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 向山 裕次末岡 浩治
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- Numerical simulations considering effects of thermal stress and impurities on the behavior of intrinsic point defects in Si crystal growing by Cz method
- タイトル（掲載誌）
- 日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 49(4):2022
- 掲載巻
- 49
- 掲載号
- 4