IGBT用Siウェーハの少数キャリアライフタイムおよび欠陥準位評価

• 資料種別: 記事
• タイトル: IGBT用Siウェーハの少数キャリアライフタイムおよび欠陥準位評価
• 著者・編者: 田上 慶次; Madishetty Ritesh; 曹 瑞軒; 袁 九洋; 蔡 博舟; 宮村 佳児; 齋藤 渉; 西澤 伸一
• シリーズタイトル: 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・電力変換器とその制御
• 著者標目: 田上 慶次; Madishetty Ritesh; 曹 瑞軒; 袁 九洋; 蔡 博舟; 宮村 佳児; 齋藤 渉; 西澤 伸一
• 並列タイトル等: Evaluation of Minority Carrier Lifetime and Defect Levels in Si Wafers for IGBTs
• タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2025(75-89):2025.10.24
• 掲載巻: 2025
• 掲載号: 75-89
• 掲載ページ: 7-12
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2025-10-24
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: IGBT; Siウェーハ; 少数キャリアライフタイム; 欠陥準位; QSSPC法; DLTS法; Si Wafer; Minority Carrier Lifetime; Defect Energy Level; QSSPC; DLTS
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: EDD-25-076
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z43-225
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 034420854; http://id.ndl.go.jp/bib/034420854
• 整理区分コード: 632