Reduction of accumulation capacitance in direct-contact HfO2/p-type Si metal-oxide-semiconductor capacitors

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Reduction of accumulation capacitance in direct-contact HfO2/p-type Si metal-oxide-semiconductor capacitors

国立国会図書館請求記号: Z53-A375
国立国会図書館書誌ID: 10730448

資料種別: 記事

著者: Yasuhiro Abeほか

出版者: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics

出版年: 2010-06

資料形態: デジタル

掲載誌名: Japanese journal of applied physics : JJAP 49(6) (1) 2010.6

掲載ページ: p.060202-1～3

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デジタル

資料種別: 記事
タイトル: Reduction of accumulation capacitance in direct-contact HfO2/p-type Si metal-oxide-semiconductor capacitors
著者・編者: Yasuhiro Abe
Noriyuki Miyata
Hiroshi Nohira 他
著者標目: Yasuhiro Abe
Noriyuki Miyata
Hiroshi Nohira
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）: 49(6) (1) 2010.6
掲載巻: 49
掲載号: 6
その他巻次: 1
掲載ページ: 060202-1～3
掲載年月日（W3CDTF）: 2010-06
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
遠隔複写可否（NDL）: 可
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-A375
掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11226784
https://dl.ndl.go.jp/pid/11226784
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 10730448
http://id.ndl.go.jp/bib/10730448
整理区分コード: 632