遷移金属酸化物におけ...

遷移金属酸化物における抵抗スイッチング現象と二次電子放出効率との相関関係 (第30回表面科学学術講演会特集号(2))

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遷移金属酸化物における抵抗スイッチング現象と二次電子放出効率との相関関係(第30回表面科学学術講演会特集号(2))

国立国会図書館請求記号
Z15-379
国立国会図書館書誌ID
11179277
資料種別
記事
著者
依田 貴稔ほか
出版者
東京 : 日本表面科学会
出版年
2011-07
資料形態
掲載誌名
表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編 32(7) 2011.7
掲載ページ
p.422~427
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
依田 貴稔
木下 健太郎
土橋 一史 他
並列タイトル等
Relationship between resistive switching effect and secondary electron yield in transition metal oxide films
タイトル(掲載誌)
表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
32(7) 2011.7
掲載巻
32
掲載号
7