SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現

• 資料種別: 記事
• タイトル: SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
• 著者・編者: 宮下 桂; 吉村 尚郎; 高柳 万里子 他
• 著者標目: 宮下 桂; 吉村 尚郎; 高柳 万里子
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 100(270) 2000.8.25
• 掲載巻: 100
• 掲載号: 270
• 掲載ページ: 73～79
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2000-08-25
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: ポケット; インジウム; アンチモン; CMOS; SSRDP; 短チャネル効果; 角度イオン注入; halo; pocket; indium; antimony; short channel effect; angled ion implantation
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ICD2000-70
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 5482689; http://id.ndl.go.jp/bib/5482689
• 整理区分コード: 632