MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長

• 資料種別: 記事
• タイトル: MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長
• 著者・編者: 石川 博康; 加藤 正博; 青山 隆史 他
• 著者標目: 石川 博康; 加藤 正博; 青山 隆史
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 103(342) 2003.10.3
• 掲載巻: 103
• 掲載号: 342
• 掲載ページ: 9～13
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2003-10-03
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: AlGaN/GaN; MOCVD; 高電子移動度トランジスター; HEMT; 4-inch; Si substrate; two dimentional electron gas; 2DEG
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2003-149
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6767798; http://id.ndl.go.jp/bib/6767798
• 整理区分コード: 632