本文に飛ぶ

記事

Full-bit functional, high-density 8Mbit one transistor-one capacitor ferroelectric random access memory embedded within a low-power 130nm logic process (Special issue: Solid state devices and materials)

記事を表すアイコン

Full-bit functional, high-density 8Mbit one transistor-one capacitor ferroelectric random access memory embedded within a low-power 130nm logic process

(Special issue: Solid state devices and materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
8719202
資料種別
記事
著者
K. R. Udayakumarほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2007-04
資料形態
紙
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 46(4B) (通号 650) (Special Issue) 2007.4
掲載ページ
p.2180～2183
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

連携機関・データベースの一覧

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    紙
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。
    この本の所蔵を確認

書誌情報

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

紙

資料種別
記事
タイトル
Full-bit functional, high-density 8Mbit one transistor-one capacitor ferroelectric random access memory embedded within a low-power 130nm logic process
著者・編者
K. R. Udayakumar
T. S. Moise
S. R. Summerfelt 他
シリーズタイトル
Special issue: Solid state devices and materials
著者標目
K. R. Udayakumar
T. S. Moise
S. R. Summerfelt
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
46(4B) (通号 650) (Special Issue) 2007.4
掲載巻
46
掲載号
4B
掲載通号
650