Barrier characteristics of ZrN films deposited by remote plasma-enhanced atomic layer deposition using tetrakis(diethylamino)zirconium precursor

• 資料種別: 記事
• タイトル: Barrier characteristics of ZrN films deposited by remote plasma-enhanced atomic layer deposition using tetrakis(diethylamino)zirconium precursor
• 著者・編者: Seungchan Cho; Keunwoo Lee; Pungkeun Song 他
• 著者標目: Seungchan Cho; Keunwoo Lee; Pungkeun Song
• タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
• 巻号年月日等（掲載誌）: 46(7A) (通号 655) 2007.7
• 掲載巻: 46
• 掲載号: 7A
• 掲載通号: 655
• 掲載ページ: 4085～4088
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2007-07
• ISSN（掲載誌）: 0021-4922
• ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
• 出版事項（掲載誌）: Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: remote PEALD; zirconium nitride; ZrN; diffusion barrier
• NDLC: ZM35
• 対象利用者: 一般
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（障害者向け資料：レベル2）: プレーンテキスト
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z53-A375
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11226723; https://dl.ndl.go.jp/pid/11226723
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 8811700; http://id.ndl.go.jp/bib/8811700
• 整理区分コード: 632

• 要約等: コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
• DOI: 10.1143/jjap.46.4085; https://doi.org/10.1143/jjap.46.4085
• 関連情報（URI）: http://id.ndl.go.jp/bib/8811700; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8811700; https://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.46.4085; https://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.46.4085/pdf
• 参照: Properties of TaN<i>x</i> films as diffusion barriers in the thermally stable Cu/Si contact systems; https://cir.nii.ac.jp/crid/1360011144679443328; Study on the characteristics of TiN thin film deposited by the atomic layer chemical vapor deposition method; https://cir.nii.ac.jp/crid/1360292620122314368; Evaluating the Large Electromigration Resistance of Copper Interconnects Employing a Newly Developed Accelerated Life‐Test Method; https://cir.nii.ac.jp/crid/1360292621161337344; Atomic Layer Epitaxy Growth of TiN Thin Films; https://cir.nii.ac.jp/crid/1360855569038102400; Reactively sputtered zirconium nitride coatings: structural, mechanical, optical and electrical characteristics; https://cir.nii.ac.jp/crid/1361137043505175040; Diffusion barrier properties of ZrN films in the Cu/Si contact systems; https://cir.nii.ac.jp/crid/1361699994052188032; TiCl[sub 4] as a Precursor in the TiN Deposition by ALD and PEALD; https://cir.nii.ac.jp/crid/1361981468978817920; The use of in situ X-ray diffraction, optical scattering and resistance analysis techniques for evaluation of copper diffusion barriers in blanket films and damascene structures; https://cir.nii.ac.jp/crid/1362262944369876224; Composition, structure, and electrical characteristics of HfO2 gate dielectrics grown using the remote- and direct-plasma atomic layer deposition methods; https://cir.nii.ac.jp/crid/1363388845327272960; Influence of the preferred orientation and thickness of zirconium nitride films on the diffusion property in copper; https://cir.nii.ac.jp/crid/1363951795468680192; Etch-Byproduct Pore Sealing for Atomic-Layer-Deposited-TaN Deposition on Porous Low-k Film; https://cir.nii.ac.jp/crid/1390001206266631040; Single-Oriented Growth of (111) Cu Film on Thin ZrN/Zr Bilayered Film for ULSI Metallization.; https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282681229058560; Thermal and Electrical Properties of 5-nm-Thick TaN Film Prepared by Atomic Layer Deposition Using a Pentakis(ethylmethylamino)tantalum Precursor for Copper Metallization; https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009409267021568
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: 雑誌記事索引データベース; https://ndlsearch.ndl.go.jp; Crossref; https://www.crossref.org; CiNii Articles
• 書誌ID（NDLBibID）: 8811700; http://id.ndl.go.jp/bib/8811700
• NII論文ID: 40015465503