CdF2/CaF2 Resonant Tunneling Diode Fabricated on Si(111).

• 資料種別: 記事
• タイトル: CdF2/CaF2 Resonant Tunneling Diode Fabricated on Si(111).
• 巻次・部編番号: 36; 3B
• 著者・編者: Izumi Akira; Matsubara Noriyuki; Kushida Yusuke; Tsutsui Kazuo; Sokolov Nikolai S.
• 著者標目: Izumi Akira; Matsubara Noriyuki; Kushida Yusuke; Tsutsui Kazuo; Sokolov Nikolai S.
• 出版年月日等: 1997
• 出版年（W3CDTF）: 1997
• タイトル（掲載誌）: Japanese Journal of Applied Physics
• 巻号年月日等（掲載誌）: 36 3B
• 掲載巻: 36
• 掲載号: 3B
• 掲載ページ: 1849-1852
• ISSN（掲載誌）: 0021-4922; 1347-4065
• 件名標目: peak-to-valley current ratio; Si(111); CaF<SUB> 2</SUB>; CdF<SUB> 2</SUB>; resonant tunneling diode
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1143/JJAP.36.1849
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 科学技術振興機構 : J-STAGE; http://www.jstage.jst.go.jp

• 要約等: We propose use of a new material, CdF<SUB>2</SUB>, and a heterostructure composed of CdF<SUB>2</SUB> and CaF<SUB>2</SUB> for applications of Si-based ...