微細化技術に起因するシリコンデバイス特性劣化の発生機構の検討とその改善
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 倉知 郁生
- 著者標目
- 倉知 郁生 クラチ イクオ
- 授与機関名
- 東京理科大学
- 授与年月日
- 2016-03-18
- 報告番号
- 乙第1083号
- 学位
- 博士（工学）
- 本文の言語コード
- jpn
- 対象利用者
- 一般