Doping Characteristics of Gas-Source MBE-Grown n-AlxGa<1-x>As (x=0-0.28) Doped Using Disilane

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資料種別: 記事
タイトル: Doping Characteristics of Gas-Source MBE-Grown n-AlxGa<1-x>As (x=0-0.28) Doped Using Disilane
著者・編者: SANDHU, ADARSH
著者標目: SANDHU, ADARSH
出版年月日等: 1990
出版年（W3CDTF）: 1990
タイトル（掲載誌）: Jpn. J. Appl. Phys.
巻号年月日等（掲載誌）: 29
掲載巻: 29
掲載ページ: 2386-2387
ISSN（掲載誌）: ISSN : 0021-4922
対象利用者: 一般
一般注記: 出版タイプ： NA
identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:00105154
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
提供元機関・データベース: 東京科学大学 : 東京科学大学リサーチリポジトリ(T2R2)