Key capacitive parameters for designing single-electron transistor charge sensors

• 資料種別: 記事
• タイトル: Key capacitive parameters for designing single-electron transistor charge sensors
• 著者・編者: 堀部, 浩介; Horibe, kousuke; 小寺, 哲夫; Kodera, Tetsuo; 蒲原, 知宏; Kambara, Tomohiro; 内田, 建; Uchida, Ken; 小田, 俊理; ODA, SHUNRI
• 著者標目: 堀部, 浩介; Horibe, kousuke; 小寺, 哲夫; Kodera, Tetsuo; 蒲原, 知宏; Kambara, Tomohiro; 内田, 建; Uchida, Ken; 小田, 俊理; ODA, SHUNRI
• 出版事項: Journal of Applied Physics
• 出版年月日等: 2012-05
• 出版年（W3CDTF）: 2012-05
• タイトル（掲載誌）: J. Appl. Phys
• 巻号年月日等（掲載誌）: 111
• 掲載巻: 111
• 本文の言語コード: eng
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 出版タイプ： NA; identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50205776
• 関連情報（DOI）: 10.1063/1.4711094; https://doi.org/10.1063/1.4711094
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 東京科学大学 : 東京科学大学リサーチリポジトリ(T2R2)