SiC p+nn+ダイオード中の単一光子源の発光特性に関する考察

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: SiC p+nn+ダイオード中の単一光子源の発光特性に関する考察
• 著者・編者: 常見, 大貴; 佐藤, 真一郎; 山崎, 雄一; 牧野, 高紘; 土方, 泰斗; 大島, 武; 常見 大貴; 佐藤 真一郎; 山崎 雄一; 牧野 高紘; 大島 武
• 著者標目: 常見, 大貴; 佐藤, 真一郎; 山崎, 雄一; 牧野, 高紘; 土方, 泰斗; 大島, 武; 常見 大貴; 佐藤 真一郎; 山崎 雄一; 牧野 高紘; 大島 武
• 出版年月日等: 2018-09-21
• 出版年（W3CDTF）: 2018-09-21
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第79回応用物理学会秋季学術講演会発表参加の為
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 炭化ケイ素半導体中の点欠陥は、量子暗号通信や量子センシングといった量子分野への応用が期待される単一光子源(SPS)への応用が期待されている。これまでに我々は、SiC表面に電流注入や光励起によって室温動作する酸化起因の高輝度SPS（表面SPS）が存在することを明らかにしたが、今回は、この表面SPSの更...