Development of Extremely High Radiation Resistant Electronic Devices Based on Silicon Carbide Semiconductor

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Development of Extremely High Radiation Resistant Electronic Devices Based on Silicon Carbide Semiconductor
• 著者・編者: Ohshima, Takeshi; Takeyama, Akinori; Makino, Takahiro; Yamazaki, Yuichi; Shimizu, K.; Tanaka, Y.; Meguro, T.; Hasebe, F.; Kuroki, S-I.; 大島 武; 武山 昭憲; 牧野 高紘; 山崎 雄一
• 著者標目: Ohshima, Takeshi; Takeyama, Akinori; Makino, Takahiro; Yamazaki, Yuichi; Shimizu, K.; Tanaka, Y.; Meguro, T.; Hasebe, F.; Kuroki, S-I.; 大島 武; 武山 昭憲; 牧野 高紘; 山崎 雄一
• 出版年月日等: 2018-11-08
• 出版年（W3CDTF）: 2018-11-08
• 本文の言語コード: eng
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: The 3rd Interational Symposium on Biomedical Engineering (ISBE2018)
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: After the Great East Japan Earthquake in March 2011, electronic devices with extremely high radiation tolerance (rad-hard), such as MGy order, are req...