Advances in Ga2O3 MOSFETs for Power and Radiation-Hard Electronics

• 資料種別: その他
• タイトル: Advances in Ga2O3 MOSFETs for Power and Radiation-Hard Electronics
• 著者・編者: Hoi, Wong Man; Nakata, Y.; Lin, C.H.; Morikawa, Y.; Sasaki, K.; Goto, K.; 武山, 昭憲; 牧野, 高紘; 大島, 武; Murakami, H.; Kumagai, Y.; Kuramata, A.; Yamakoshi, S.; 武山 昭憲; 牧野 高紘; 大島 武
• 著者標目: Hoi, Wong Man; Nakata, Y.; Lin, C.H.; Morikawa, Y.; Sasaki, K.; Goto, K.; 武山, 昭憲; 牧野, 高紘; 大島, 武; Murakami, H.; Kumagai, Y.; Kuramata, A.; Yamakoshi, S.; 武山 昭憲; 牧野 高紘; 大島 武
• 出版年月日等: 2017-09-12
• 出版年（W3CDTF）: 2017
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: β-Ga2O3 is being actively pursued for power switching and harsh environment electronics. State-of-the-art Ga2O3 MOSFETs were realized on unintentional...