大型バルクGaN単結晶の開発に向けた結晶成長機構の解明

• 資料種別: 図書
• タイトル: 大型バルクGaN単結晶の開発に向けた結晶成長機構の解明
• 著者・編者: 河村, 貴宏
• 著者標目: 河村, 貴宏 カワムラ, タカヒロ
• 出版事項: 三重大学
• 出版年月日等: 2018-05-08
• 出版年（W3CDTF）: 2018-05-08
• 並列タイトル等: Clarification of crystal growth mechanism for development of large bulk GaN single crystal
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 窒化ガリウム; 結晶成長; 第一原理計算; Naフラックス成長; OVPE成長; 不純物
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 出版タイプ： VoR; application/pdf; 2015年度～2017年度科学研究費補助金(若手研究(B))研究成果報告書; 15K17459
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 三重大学 : 三重大学学術機関リポジトリ研究成果コレクション

• 要約等: 本研究では大型バルクGaN単結晶の開発に向け、Naフラックス法とOVPE法における結晶成長機構を明らかにすることを目的として、第一原理計算を用いた数値解析により、(1)Naフラックス成長におけるC添加による成長速度増加メカニズムの解明と(2)OVPE法における表面反応過程と結晶成長過程の解明、の2つ...