MOCVD法によるサファイア基板上GaNの成長に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: MOCVD法によるサファイア基板上GaNの成長に関する研究
• タイトルよみ: MOCVDホウ ニ ヨル サファイア キバンジョウ GaN ノ セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 石川博康 [著]
• 著者標目: 石川, 博康 イシカワ, ヒロヤス
• 授与機関名: 名古屋工業大学
• 授与年月日: 平成10年3月24日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1998
• 報告番号: 甲第225号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-98-E145
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000319469; http://id.ndl.go.jp/bib/000000319469
• 整理区分コード: 213

目次

―目次―

第1章 序論

1.1 はじめに

1.2 窒化物系半導体のエピタキシャル成長

1.3 新たな試み