Lattice defects induced by annealing after n-type doping ion-implantation in silicon
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目次
Contents
Abstract
p1
1 Introduction
p2
2 Antimony implantation
p7
2.1 Experimental procedure
p7
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 上杉文彦 [著]
- 著者標目
- 上杉, 文彦 ウエスギ, フミヒコ
- 出版事項
- 出版年月日等
- [2000]
- 出版年(W3CDTF)
- 2000
- 数量
- 1冊
- 並列タイトル等
- n形ドーピングイオン注入後の熱処理によってシリコン中に誘起される格子欠陥 nガタ ドーピング イオン チュウニュウ ゴ ノ ネツ ショリ ニ ヨッテ シリコン チュウ ニ ユウキ サレル コウシ ケッカン
- 授与機関名
- 東京理科大学