Lattice defects induced by annealing after n-type doping ion-implantation in silicon

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Lattice defects induced by annealing after n-type doping ion-implantation in silicon
• 著者・編者: 上杉文彦 [著]
• 著者標目: 上杉, 文彦 ウエスギ, フミヒコ
• 出版事項: [上杉文彦]
• 出版年月日等: [2000]
• 出版年（W3CDTF）: 2000
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: n形ドーピングイオン注入後の熱処理によってシリコン中に誘起される格子欠陥 nガタ ドーピング イオン チュウニュウ ゴ ノ ネツ ショリ ニ ヨッテ シリコン チュウ ニ ユウキ サレル コウシ ケッカン
• 授与機関名: 東京理科大学
• 授与年月日: 平成12年3月20日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2000
• 報告番号: 甲第410号
• 学位: 博士 (理学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2001-A612
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000395439; http://id.ndl.go.jp/bib/000000395439
• 整理区分コード: 213

目次

Contents

Abstract

1 Introduction

2 Antimony implantation

2.1 Experimental procedure