Study of thallium-zinc-tin-oxide semiconductor toward high mobility, stable thin-film transistors

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Study of thallium-zinc-tin-oxide semiconductor toward high mobility, stable thin-film transistors
• 著者・編者: 岸本, 克史
• 出版事項: 岸本, 克史
• 出版年月日等: 2016
• 出版年（W3CDTF）: 2016
• 並列タイトル等: 高移動度・安定な薄膜トランジスタに向けた酸化タリウム・亜鉛・錫半導体の研究
• 授与機関名: 奈良先端科学技術大学院大学
• 授与年月日: 2016-03-24
• 授与年月日（W3CDTF）: 2016-03-24
• 報告番号: 甲第1353号
• 学位: 博士(工学)
• 本文の言語コード: eng
• 著者別名: Kishimoto, Katsushi
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/10311528; https://dl.ndl.go.jp/pid/10311528
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• 収集根拠: 博士論文（送信）
• 受理日（W3CDTF）: 2017-03-06T20:21:42+09:00
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp