急峻なサブスレッショルド特性を持つ“ＰＮ‐ｂｏｄｙ ｔｉｅｄ ＳＯＩ‐ＦＥＴ”の研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 急峻なサブスレッショルド特性を持つ“ＰＮ‐ｂｏｄｙ ｔｉｅｄ ＳＯＩ‐ＦＥＴ”の研究
• 著者・編者: 森, 貴之
• 著者標目: 森, 貴之
• 出版年月日等: 2019-03-20
• 出版年（W3CDTF）: 2019-03-20
• 並列タイトル等: キュウシュン ナ サブスレッショルドトクセイ ヲ モツ ＰＮ ｂｏｄｙ ｔｉｅｄ ＳＯＩ ＦＥＴ の ケンキュウ
• 授与機関名: 金沢工業大学
• 授与年月日: 2019-03-20
• 授与年月日（W3CDTF）: 2019-03-20
• 報告番号: 乙第55号
• 学位: 博士(工学)
• 博論授与番号: 乙第55号
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: type:学位論文;Thesis or Dissertation; 大規模集積回路の低消費電力化には、その構成素子であるMOSFETのサブスレッショルド特性を急峻化させる必要がある。しかし、従来型MOSFETのサブスレッショルド特性は動作原理に基づく物理的限界を持っている。本研究では新原理で動作する“PN-body tied SOI-FET”を提案、作製し、先行研究を凌ぐ極急峻なサブスレッショルド特性を実現した。また、応用として“PN-body tied SOI-FET”をRF環境発電用レクテナの整流素子に活用するための検討を行い、従来型ダイオードには困難だった極低入力電圧における整流特性を実証した。; identifier:20190531040
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11300179; https://dl.ndl.go.jp/pid/11300179
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• 収集根拠: 博士論文（自動収集）
• 受理日（W3CDTF）: 2019-07-05T01:13:02+09:00
• 作成日（W3CDTF）: 2019-05-31
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 掲載誌（URI）: http://kitir.kanazawa-it.ac.jp:80/infolib/meta_pub/G0000002repository_20190531040
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp