Pt Schottky diode gas sensors formed on GaN and AlGaN/GaN heterostructure

• 資料種別: 記事
• タイトル: Pt Schottky diode gas sensors formed on GaN and AlGaN/GaN heterostructure
• 著者標目: Matsuo, Kazushi; Negoro, Noboru; Kotani, Junji; 橋詰, 保; Hasegawa, Hideki
• 出版年月日等: 2005-05-15
• 出版年（W3CDTF）: 2005-05-15
• タイトル（掲載誌）: Applied Surface Science
• 巻号年月日等（掲載誌）: 244 1-4
• 掲載巻: 244
• 掲載号: 1-4
• 掲載ページ: 273-276
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2005-05-15
• ISSN（掲載誌）: 01694332; http://id.crossref.org/issn/01694332
• 出版事項（掲載誌）: Elsevier B.V.
• 本文の言語コード: en
• 件名標目: GaN; AlGaN; Pt; Schottky; Gas sensor; 549.8
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.10.149
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 関連情報（URI）: http://hdl.handle.net/2115/5596; https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0169433204018033?httpAccept=text/xml; https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0169433204018033?httpAccept=text/plain
• 参照: Effect of Dielectrics on Hydrogen Detection Sensitivity of Metal–Insulator–Semiconductor Pt–GaN Diodes; https://cir.nii.ac.jp/crid/1360003446853445120; Hydrogen Response of Pd Schottky Diodes Formed on AlGaN/GaN Heterostructure; https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282680163694208; Sensing Mechanism of InP Hydrogen Sensors Using Pt Schottky Diodes Formed by Electrochemical Process; https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290884035255808
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: 学術機関リポジトリデータベース; https://irdb.nii.ac.jp; Crossref; https://www.crossref.org; CiNii Articles
• NII論文ID: 120000955910

• 要約等: Exposure of Pt/GaN and Pt/AlGaN/GaN Schottky diodes to H2 gas at moderately high temperatures around 100 °C resulted in marked increase of forward and...