Raman study of Mg, Si, O, and N implanted GaN

• 資料種別: 記事
• タイトル: Raman study of Mg, Si, O, and N implanted GaN
• 著者標目: M. Katsikini; K. Papagelis; E. C. Paloura; S. Ves
• 出版年月日等: 2003-10-01
• 出版年（W3CDTF）: 2003-10-01
• タイトル（掲載誌）: Journal of Applied Physics
• 巻号年月日等（掲載誌）: 94 7
• 掲載巻: 94
• 掲載号: 7
• 掲載ページ: 4389-4394
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2003-10-01
• ISSN（掲載誌）: 00218979
• 出版事項（掲載誌）: AIP Publishing
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1063/1.1606521
• 作成日（W3CDTF）: 2003-09-18
• 関連情報（URI）: https://pubs.aip.org/aip/jap/article-pdf/94/7/4389/18704945/4389_1_online.pdf
• 参照: Quantitative secondary ion mass spectrometric analysis of secondary ion polarity in GaN films implanted with oxygen; https://cir.nii.ac.jp/crid/1360847874820907008
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: Crossref; https://www.crossref.org

• 要約等: <jats:p>The effect of Mg, Si, N, and O ion implantation (with doses in the range 5×1013–1×1018 cm−2), in epitaxially grown GaN samples has been studie...