9 kV 4H-SiC IGBTs with 88 mΩ·cm² of R _{diff, on}

• 資料種別: 記事
• タイトル: 9 kV 4H-SiC IGBTs with 88 mΩ·cm² of R _{diff, on}
• 著者標目: Qing Chun Jon Zhang; Charlotte Jonas; Bradley Heath; Mrinal K. Das; Sei Hyung Ryu; Anant K. Agarwal; John W. Palmour
• 出版年月日等: 2007-09-15
• 出版年（W3CDTF）: 2007-09-15
• タイトル（掲載誌）: Materials Science Forum
• 巻号年月日等（掲載誌）: 556-557
• 掲載巻: 556-557
• 掲載ページ: 771-774
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2007-09-15
• 出版事項（掲載誌）: Trans Tech Publications, Ltd.
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.771; https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.771
• 作成日（W3CDTF）: 2009-03-11
• 著作権情報: https://www.scientific.net/PolicyAndEthics/PublishingPolicies; https://www.scientific.net/license/TDM_Licenser.pdf
• 関連情報（URI）: https://www.scientific.net/MSF.556-557.771.pdf
• 参照: Reliability of Nitrided Gate Oxides for N- and P-Type 4H-SiC(0001) Metal–Oxide–Semiconductor Devices; https://cir.nii.ac.jp/crid/1360284924861945344
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: Crossref; https://www.crossref.org

• 要約等: <jats:p>SiC IGBTs are suitable for high power, high temperature applications. For the first time, the design and fabrication of 9 kV planar p-IGBTs on...