GaAs ∕ AlGaAs nanowires capped with AlGaAs layers on GaAs(311)B substrates

• 資料種別: 記事
• タイトル: GaAs ∕ AlGaAs nanowires capped with AlGaAs layers on GaAs(311)B substrates
• 著者標目: K. Tateno; H. Gotoh; Y. Watanabe
• 出版年月日等: 2004-09-06
• 出版年（W3CDTF）: 2004-09-06
• タイトル（掲載誌）: Applied Physics Letters
• 巻号年月日等（掲載誌）: 85 10
• 掲載巻: 85
• 掲載号: 10
• 掲載ページ: 1808-1810
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2004-09-06
• ISSN（掲載誌）: 00036951
• 出版事項（掲載誌）: AIP Publishing
• 件名標目: Physics and Astronomy (miscellaneous)
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1063/1.1789234
• 作成日（W3CDTF）: 2004-09-13
• 関連情報（URI）: https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/85/10/1808/18594693/1808_1_online.pdf
• 参照: 「半導体の表面・欠陥・ナノ構造の制御とその物性」ナノワイヤの配列制御に向けた触媒金属の表面原子ステップへの配置; https://cir.nii.ac.jp/crid/1390001206457920640; Nanoholes in InP and C₆₀ Layers on GaAs Substrates by Using AlGaAs Nanowire Templates; https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282681241991552; Characterization of individual GaAs/AlGaAs self-standing nanowires by cathodoluminescence technique using transmission electron microscope; https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009409441101952; Multi-Quantum Structures of GaAs/AlGaAs Free-Standing Nanowires; https://cir.nii.ac.jp/crid/1520572359254508160; Exciton and biexciton emissions from single GaAs quantum dots in (Al,Ga)As nanowires; https://cir.nii.ac.jp/crid/1520853833087920128
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: Crossref; https://www.crossref.org

• 要約等: <jats:p>We have investigated GaAs∕AlGaAs nanowires capped with AlGaAs layers for optical device applications. GaAs nanowires are not so stable during ...