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Monolayer heterointerfaces and thin layers (∼10 Å) in Al <sub>x</sub> Ga <sub>1−x</sub> As-GaAs superlattices grown by metalorganic chemical vapour deposition

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Monolayer heterointerfaces and thin layers (∼10 Å) in Al <sub>x</sub> Ga <sub>1−x</sub> As-GaAs superlattices grown by metalorganic chemical vapour deposition

資料種別
記事
著者
J.M. Brownほか
出版者
Institution of Engineering and Technology (IET)
出版年
1984-03
資料形態
デジタル
掲載誌名
Electronics Letters 20 5
掲載ページ
p.204-205
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デジタル

資料種別
記事
タイトル
Monolayer heterointerfaces and thin layers (∼10 Å) in Al <sub>x</sub> Ga <sub>1−x</sub> As-GaAs superlattices grown by metalorganic chemical vapour deposition
著者標目
J.M. Brown
N. Holonyak
M.J. Ludowise
W.T. Dietze
C.R. Lewis
出版年月日等
1984-03
出版年（W3CDTF）
1984-03
タイトル（掲載誌）
Electronics Letters
巻号年月日等（掲載誌）
20 5
掲載巻
20
掲載号
5
掲載ページ
204-205