Quantitative <i>i</i> <i>n</i> <i>s</i> <i>i</i> <i>t</i> <i>u</i> characterization of x-ray mask distortions

• 資料種別: 記事
• タイトル: Quantitative <i>i</i> <i>n</i> <i>s</i> <i>i</i> <i>t</i> <i>u</i> characterization of x-ray mask distortions
• 著者標目: G. M. Wells; G. Chen; D. So; E. L. Brodsky; K. Kriesel; F. Cerrina; M. Karnezos
• 出版年月日等: 1988-11-01
• 出版年（W3CDTF）: 1988-11-01
• タイトル（掲載誌）: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena
• 巻号年月日等（掲載誌）: 6 6
• 掲載巻: 6
• 掲載号: 6
• 掲載ページ: 2190-2195
• 掲載年月日（W3CDTF）: 1988-11-01
• ISSN（掲載誌）: 0734211X
• 出版事項（掲載誌）: American Vacuum Society
• 件名標目: General Engineering
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1116/1.584080
• 作成日（W3CDTF）: 2002-07-27
• 関連情報（URI）: https://pubs.aip.org/avs/jvb/article-pdf/6/6/2190/12089608/2190_1_online.pdf
• 参照: Simulation of X-Ray Mask Distortion; https://cir.nii.ac.jp/crid/1360003446841435264; Electron Beam Damage in the SiN Membrane of an X-Ray Lithography Mask.; https://cir.nii.ac.jp/crid/1390001206248572928
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: Crossref; https://www.crossref.org

• 要約等: <jats:p>The control of x-ray mask distortion is a central issue in x-ray lithography technology. Three causes of distortion have been examined: the in...