First room-temperature cw operation of a GaInAsP/InP light-emitting diode on a silicon substrate

• 資料種別: 記事
• タイトル: First room-temperature cw operation of a GaInAsP/InP light-emitting diode on a silicon substrate
• 著者標目: M. Razeghi; R. Blondeau; M. Defour; F. Omnes; P. Maurel; F. Brillouet
• 出版年月日等: 1988-09-05
• 出版年（W3CDTF）: 1988-09-05
• タイトル（掲載誌）: Applied Physics Letters
• 巻号年月日等（掲載誌）: 53 10
• 掲載巻: 53
• 掲載号: 10
• 掲載ページ: 854-855
• 掲載年月日（W3CDTF）: 1988-09-05
• ISSN（掲載誌）: 00036951
• 出版事項（掲載誌）: AIP Publishing
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1063/1.100093; https://doi.org/10.1063/1.100093
• 作成日（W3CDTF）: 2002-07-26
• 関連情報（URI）: https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/53/10/854/18467222/854_1_online.pdf
• 参照: InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors Grown on Si; https://cir.nii.ac.jp/crid/1360847871771010304
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: Crossref; https://www.crossref.org

• 要約等: <jats:p>We report in this letter the first successful fabrication of an InP-GaInAsP light-emitting diode, emitting at 1.15 μm grown by low-pressure me...