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Control of relative etch rates of SiO2 and Si in plasma etching

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Control of relative etch rates of SiO2 and Si in plasma etching

資料種別
記事
著者
Rudolf A.H. Heinecke
出版者
Elsevier BV
出版年
1975-12
資料形態
デジタル
掲載誌名
Solid-State Electronics 18 12
掲載ページ
p.1146-1147
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デジタル

資料種別
記事
出版年月日等
1975-12
出版年(W3CDTF)
1975-12
タイトル(掲載誌)
Solid-State Electronics
巻号年月日等(掲載誌)
18 12
掲載巻
18
掲載号
12
掲載ページ
1146-1147
掲載年月日(W3CDTF)
1975-12
ISSN(掲載誌)
00381101
出版事項(掲載誌)
Elsevier BV
対象利用者
一般
作成日(W3CDTF)
2002-10-18
著作権情報
https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/
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連携機関・データベース
国立情報学研究所 : CiNii Research