Photoreflectance investigations of oscillator strength and broadening of optical transitions for GaAsSb–GaInAs/GaAs bilayer quantum wells

• 資料種別: 記事
• タイトル: Photoreflectance investigations of oscillator strength and broadening of optical transitions for GaAsSb–GaInAs/GaAs bilayer quantum wells
• 著者標目: R. Kudrawiec; G. Se̢k; K. Ryczko; J. Misiewicz; J. C. Harmand
• 出版年月日等: 2004-05-03
• 出版年（W3CDTF）: 2004-05-03
• タイトル（掲載誌）: Applied Physics Letters
• 巻号年月日等（掲載誌）: 84 18
• 掲載巻: 84
• 掲載号: 18
• 掲載ページ: 3453-3455
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2004-05-03
• ISSN（掲載誌）: 00036951
• 出版事項（掲載誌）: AIP Publishing
• 件名標目: Physics and Astronomy (miscellaneous)
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1063/1.1737065
• 作成日（W3CDTF）: 2004-04-26
• 関連情報（URI）: https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/84/18/3453/18588615/3453_1_online.pdf
• 参照: Direct evidence of photoluminescence broadening enhancement by local electric field fluctuations in polar InGaN/GaN quantum wells; https://cir.nii.ac.jp/crid/1360284924868141184
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: Crossref; https://www.crossref.org

• 要約等: <jats:p>GaAsSb–GaInAs/GaAs bilayer quantum wells which consist of two adjacent layers of GaAsSb and GaInAs sandwiched between GaAs barriers have been ...