Super Junction MOSFETs above 600V with Parallel Gate Structure Fabricated by Deep Trench Etching and Epitaxial Growth
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CiNii Research
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 出版年月日等
- 2008-05
- 出版年（W3CDTF）
- 2008-05
- タイトル（掲載誌）
- 2008 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
- 掲載ページ
- 165-168
- 掲載年月日（W3CDTF）
- 2008-05
- 出版事項（掲載誌）
- IEEE
- 対象利用者
- 一般