Preferential Etching and Etched Profile of GaAs
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 出版年月日等
- 1971
- 出版年（W3CDTF）
- 1971
- タイトル（掲載誌）
- Journal of The Electrochemical Society
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 118 1
- 掲載巻
- 118
- 掲載号
- 1
- 掲載ページ
- 118-
- 掲載年月日（W3CDTF）
- 1971
- ISSN（掲載誌）
- 00134651
- 出版事項（掲載誌）
- The Electrochemical Society
- 対象利用者
- 一般
- DOI
- 10.1149/1.2407921
- 作成日（W3CDTF）
- 2007-02-22
- 参照
- Influence of In Atoms on the Shape of Dislocation Etch Pits in LEC In-Doped GaAs CrystalsLateral Growth of GaAs over SiO<sub>2</sub> Films Prepared on (111)B Substrates by Metalorganic Chemical Vapor DepositionA Dual-Stripe Phase-Locked Diode LaserWet Chemical Etching Behavior of Ga(Al)As and In(Ga)P(As) LayersChemical Etching Behavior and Mechanism of Undoped GaAs in Tartaric Acid - hydrogen Peroxide Solution SystemsNovel InGaAs/GaAs Quantum Dot Structures Formed in Tetrahedral-Shaped Recesses on (111)B GaAs Substrate Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.Etching Damage in Diamond Studied Using an Energy-Controlled Oxygen Ion Beam
- 連携機関・データベース
- 国立情報学研究所 : CiNii Research
- 提供元機関・データベース
- CrossrefCiNii ArticlesCrossrefCrossrefCrossrefCrossrefCrossrefCrossrefCrossref
- NII論文ID
- 30025917708