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Etching Characteristics and Mechanisms of Mo and Al2O3 Thin Films in O2/Cl2/Ar Inductively Coupled Plasmas: Effect of Gas Mixing Ratios

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Etching Characteristics and Mechanisms of Mo and Al2O3 Thin Films in O2/Cl2/Ar Inductively Coupled Plasmas: Effect of Gas Mixing Ratios

資料種別
記事
著者
Sungchil Kangほか
出版者
Springer Science and Business Media LLC
出版年
2013-01-11
資料形態
デジタル
掲載誌名
Plasma Chemistry and Plasma Processing 33 2
掲載ページ
p.527-538
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デジタル

資料種別
記事
出版年月日等
2013-01-11
出版年(W3CDTF)
2013-01-11
タイトル(掲載誌)
Plasma Chemistry and Plasma Processing
巻号年月日等(掲載誌)
33 2
掲載巻
33
掲載号
2
掲載ページ
527-538