Heavy atomic-layer doping of nitrogen in Si1−Ge film epitaxially grown on Si(100) by ultraclean low-pressure CVD

• 資料種別: 記事
• タイトル: Heavy atomic-layer doping of nitrogen in Si1−Ge film epitaxially grown on Si(100) by ultraclean low-pressure CVD
• 著者標目: Tomoyuki Kawashima; Masao Sakuraba; Bernd Tillack; Junichi Murota
• 出版年月日等: 2010-01
• 出版年（W3CDTF）: 2010-01
• タイトル（掲載誌）: Thin Solid Films
• 巻号年月日等（掲載誌）: 518 6
• 掲載巻: 518
• 掲載号: 6
• 掲載ページ: S62-S64
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2010-01
• ISSN（掲載誌）: 00406090
• 出版事項（掲載誌）: Elsevier BV
• 件名標目: Materials Chemistry; Metals and Alloys; Surfaces, Coatings and Films; Surfaces and Interfaces; Electronic, Optical and Magnetic Materials
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1016/j.tsf.2009.10.056
• 作成日（W3CDTF）: 2009-10-21
• 著作権情報: https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/
• 関連情報（URI）: https://api.elsevier.com/content/article/PII:S004060900901699X?httpAccept=text/xml; https://api.elsevier.com/content/article/PII:S004060900901699X?httpAccept=text/plain
• 参照: Behavior of N atoms after thermal nitridation of Si1−xGex surface; https://cir.nii.ac.jp/crid/1360283691164232960
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research
• 提供元機関・データベース: Crossref; https://www.crossref.org