Be doping of (311)A and (100) Al0.24Ga0.76As grown by molecular beam epitaxy

• 資料種別: 記事
• タイトル: Be doping of (311)A and (100) Al0.24Ga0.76As grown by molecular beam epitaxy
• 著者標目: N. Galbiati; L. Pavesi; E. Grilli; M. Guzzi; M. Henini
• 出版年月日等: 1996-12-30
• 出版年（W3CDTF）: 1996-12-30
• タイトル（掲載誌）: Applied Physics Letters
• 巻号年月日等（掲載誌）: 69 27
• 掲載巻: 69
• 掲載号: 27
• 掲載ページ: 4215-4217
• 掲載年月日（W3CDTF）: 1996-12-30
• ISSN（掲載誌）: 00036951
• 出版事項（掲載誌）: AIP Publishing
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1063/1.116990
• 作成日（W3CDTF）: 2002-07-26
• 関連情報（URI）: https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/69/27/4215/18523987/4215_1_online.pdf
• 参照: Photoluminescence studies of Mg-doped AlxGa1-xAs epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy; https://cir.nii.ac.jp/crid/1520853834049933056
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: Crossref; https://www.crossref.org

• 要約等: <jats:p>The use of Be as a p-type dopant in AlxGa1−xAs and in modulation doped heterostructures grown by molecular beam epitaxy on (311)A oriented sub...