微傾斜GaAs(110)基板上多重量子井戸における電子スピン緩和時間

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資料種別: 記事
タイトル: 微傾斜GaAs(110)基板上多重量子井戸における電子スピン緩和時間
著者標目: 中西慧
黄晋二
池田和浩
河口仁司
出版年月日等: 2010-03-03
出版年（W3CDTF）: 2010-03-03
タイトル（掲載誌）: 応用物理学会学術講演会講演予稿集
巻号年月日等（掲載誌）: 2010.1 0
掲載巻: 2010.1
掲載号: 0
掲載ページ: 3045-3045
掲載年月日（W3CDTF）: 2010-03-03
出版事項（掲載誌）: The Japan Society of Applied Physics
本文の言語コード: ja
件名標目: 17a-TM-2
半導体B（探索的材料・物性・デバイス）
超薄膜・量子ナノ構造
GaAs/AlGaAs(110)量子井戸
電子スピン
微傾斜基板
対象利用者: 一般
イベントの日付、場所: 春季応用物理学関係連合講演会
DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3045
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research
https://cir.nii.ac.jp/
提供元機関・データベース: Japan Link Center
https://japanlinkcenter.org/top