The Resolution Limit of the Resist Silylation Process in I-Line Lithography : Lithography Technology :

• 資料種別: 記事
• タイトル: The Resolution Limit of the Resist Silylation Process in I-Line Lithography : Lithography Technology :
• 著者標目: TAKEHARA,Daisuke タケハラ,ダイスケ,オタ,ツネオ,タニモト,ケイスケ,カワバタ,リョウヘイ,シバタマ,ヒコウ; OTA,Tsuneo OTA,Tsuneo; TANIMOTO,Keisuke TANIMOTO,Keisuke; KAWABATA,Ryohei KAWABATA,Ryohei; SHIBAYAMA,Hikou SHIBAYAMA,Hikou
• 出版年月日等: 1991-01-31
• 出版年（W3CDTF）: 1991-01-31
• タイトル（掲載誌）: JJAP series
• 巻号年月日等（掲載誌）: 4
• 掲載巻: 4
• 掲載ページ: 9-13
• 掲載年月日（W3CDTF）: 1991-01-31
• 出版事項（掲載誌）: Japanese Journal of Applied Physics
• 本文の言語コード: en
• 件名標目: i-line; lithotraphy; silylation; resolution limit
• 対象利用者: 一般
• 関連情報（URI）: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10472287
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp/ja; CiNii Articles
• NII論文ID: 110003912766

• 要約等: The resolution limit of the resist silylation process in an I-line stepper was considered. The method was developed to render the silylated layer visi...