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Growth Mechanism of 3C-SiC(111) Films on Si Using Tetramethylsilane by Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition

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Growth Mechanism of 3C-SiC(111) Films on Si Using Tetramethylsilane by Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition

資料種別
記事
著者
SEO Y. H.
出版者
-
出版年
1997
資料形態
紙
掲載誌名
J. Vac. Sci. & Tech. A 15 4
掲載ページ
p.2226-2233
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紙

資料種別
記事
タイトル
Growth Mechanism of 3C-SiC(111) Films on Si Using Tetramethylsilane by Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition
著者標目
SEO Y. H.
出版年月日等
1997
出版年（W3CDTF）
1997
タイトル（掲載誌）
J. Vac. Sci. & Tech. A
巻号年月日等（掲載誌）
15 4
掲載巻
15
掲載号
4
掲載ページ
2226-2233