ICTS Measurements of Interface Properties in GaSb MOS Structure

• 資料種別: 記事
• タイトル: ICTS Measurements of Interface Properties in GaSb MOS Structure
• 著者標目: Nakashima Kenshiro
• 出版年月日等: 1987
• 出版年（W3CDTF）: 1987
• タイトル（掲載誌）: Japanese Journal of Applied Physics
• 巻号年月日等（掲載誌）: 26 2
• 掲載巻: 26
• 掲載号: 2
• 掲載ページ: 308-309
• 掲載年月日（W3CDTF）: 1987
• ISSN（掲載誌）: 00214922
• 出版事項（掲載誌）: 公益社団法人 応用物理学会
• 本文の言語コード: en
• 対象利用者: 一般
• 関連情報（URI）: https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00337501041?from=CiNii
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: CiNii Articles
• NII論文ID: 130003466622

• 要約等: Interface state density distributions and hole capture cross sections have been determined as a function of the energy for MOS structures made with an...