GaAs HIGFETにおけるゲートリーク電流発生機構

• 資料種別: 記事
• タイトル: GaAs HIGFETにおけるゲートリーク電流発生機構
• 著者標目: 高谷 信一郎; 松本 秀俊; 重田 淳二; 山下 知子; 大鹿 克志; 福井 宗利
• 出版年月日等: 1996-11-09
• 出版年（W3CDTF）: 1996-11-09
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
• 巻号年月日等（掲載誌）: 96 353
• 掲載巻: 96
• 掲載号: 353
• 掲載ページ: 27-34
• 掲載年月日（W3CDTF）: 1996-11-09
• 出版事項（掲載誌）: 一般社団法人電子情報通信学会
• 本文の言語コード: ja
• 件名標目: HIGFET; ゲートリーク電流; 衝突イオン化; 正孔; MISダイオード; CF_4プラズマ; 表面処理; gate leakage current; impact ionization; hole; MIS diode; CF_4 plasma; surface treatment
• 対象利用者: 一般
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: CiNii Articles
• NII論文ID: 110003200061

• 要約等: i-AIGaAs/n-GaAs HIGFETにおいて, ゲートドレイン逆バイアス印加によるストレス試験でゲートリーク電流が増加する現象が観測された。機構解明のため、劣化特性の詳細な検討、MISダイオードによる表面保護膜/半導体界面の評価等を行った。その結果、ゲート電極エッジ部の高電界領域で衝突イオン...