RF-MBE growth of Si doped cubic GaN and hexagonal phase incorporated c-AlGaN films on MgO(0 0 1) substrates

• 資料種別: 記事
• タイトル: RF-MBE growth of Si doped cubic GaN and hexagonal phase incorporated c-AlGaN films on MgO(0 0 1) substrates
• 著者標目: Masahiro Kakuda; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe
• 出版年月日等: 2011-05-01
• 出版年（W3CDTF）: 2011-05-01
• タイトル（掲載誌）: Journal of Crystal Growth
• 巻号年月日等（掲載誌）: 323
• 掲載巻: 323
• 掲載ページ: 91-94
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2011-05-01
• ISSN（掲載誌）: 00220248
• 出版事項（掲載誌）: Elsevier BV
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.12.035; https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.12.035
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/

• 要約等: Abstract Silicon doped cubic GaN (c-GaN) films were grown on MgO (0 0 1) substrates by radio-frequency-plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF-MB...