雑誌電気学会研究会資料 SPC
Volume number2019(146-148・150-160):2019.11.28
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2段フィールドプレートトレンチMOSFET開発におけるプロセスインテグレーション技術 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

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2段フィールドプレートトレンチMOSFET開発におけるプロセスインテグレーション技術

(電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

Call No. (NDL)
Z43-243
Bibliographic ID of National Diet Library
030118693
Material type
記事
Author
加藤 浩朗ほか
Publisher
東京 : 電気学会
Publication date
2019-11-28
Material Format
Paper
Journal name
電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] 2019(146-148・150-160):2019.11.28
Publication Page
p.13-18
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Paper

Material Type
記事
Title
2段フィールドプレートトレンチMOSFET開発におけるプロセスインテグレーション技術
Author/Editor
加藤 浩朗
西口 俊史
下村 紗矢
白石 達也
宮下 桂
小林 研也
Series Title
電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
Author Heading
加藤 浩朗
西口 俊史
下村 紗矢
白石 達也
宮下 桂
小林 研也
Alternative Title
Process Integration Technique in Development of Two-step-oxide Field-Plate Trench MOSFET
Periodical title
電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
No. or year of volume/issue
2019(146-148・150-160):2019.11.28
Volume
2019
Issue
146-148・150-160