平面型トランジスタ,SGTを用いたスタンダードセルのパターン面積の比較検討 (シリコン材料・デバイス)

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平面型トランジスタ,SGTを用いたスタンダードセルのパターン面積の比較検討

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
11238753
Material type
記事
Author
小玉 貴大ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2011-08
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(187) 2011.8.25・26
Publication Page
p.7~12
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
小玉 貴大
渡辺 重佳
Alternative Title
Study of pattern area reduction for standard cell with planar and SGT transistor
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
111(187) 2011.8.25・26
Volume
111
Issue
187