雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number104(158)-104(167) 20040700-20040700
Article1.3μm帯GaIn...

1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証 (特集:量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)

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1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証

(特集:量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
7069277
Material type
記事
Author
有賀 麻衣子ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2004-07-02
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 104(162) 2004.7.2
Publication Page
p.15～18
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Title
1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証
Author/Editor
有賀 麻衣子
荒井 昌和
C. Setiagung 他
Series Title
特集:量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般
Author Heading
有賀 麻衣子
荒井 昌和
C. Setiagung
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
104(162) 2004.7.2
Volume
104
Issue
162
Pages
15～18