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博士論文

急峻なサブスレッショルド特性を持つ“ＰＮ‐ｂｏｄｙ　ｔｉｅｄ　ＳＯＩ‐ＦＥＴ”の研究

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急峻なサブスレッショルド特性を持つ“ＰＮ‐ｂｏｄｙ　ｔｉｅｄ　ＳＯＩ‐ＦＥＴ”の研究

Material type
博士論文
Author
森, 貴之
Publisher
-
Publication date
2019-03-20
Material Format
Digital
Capacity, size, etc.
-
Name of awarding university/degree
金沢工業大学,博士(工学)
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Notes on use

Note (General)：

type:学位論文;Thesis or Dissertation大規模集積回路の低消費電力化には、その構成素子であるMOSFETのサブスレッショルド特性を急峻化させる必要がある。しかし、従来型MOSFETのサブスレッショルド特性は動作原理に基づく物理的限界を持っている。本研究では新原理で動作する“P...

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Digital

Material Type
博士論文
Title
急峻なサブスレッショルド特性を持つ“ＰＮ‐ｂｏｄｙ　ｔｉｅｄ　ＳＯＩ‐ＦＥＴ”の研究
Author/Editor
森, 貴之
Author Heading
森, 貴之
Publication Date
2019-03-20
Publication Date (W3CDTF)
2019-03-20
Alternative Title
キュウシュン　ナ　サブスレッショルドトクセイ　ヲ　モツ　ＰＮ　ｂｏｄｙ　ｔｉｅｄ　ＳＯＩ　ＦＥＴ　の　ケンキュウ
Degree grantor/type
金沢工業大学
Date Granted
2019-03-20
Dissertation Number
乙第55号