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Table of Contents
25(3) 1998.07
- 第29回結晶成長国内会議(NCCG-29)
p.A1~158,巻頭1~19
25(2) 1998.06
- 特集:3族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか
p.81~125
25(4) 1998.09
- 特集:バルク窒化物半導体
p.140~166
- 高圧温度差法による立方晶BN単結晶育成 (特集:バルク窒化物半導体)
p.141~151
- Naフラックスを用いたGaN単結晶の育成 (特集:バルク窒化物半導体)
p.152~156
- 昇華法によるGaN単結晶育成 (特集:バルク窒化物半導体)
p.157~162
- 昇華法による窒化アルミニウム単結晶育成 (特集:バルク窒化物半導体)
p.163~166
25(5) 1998.12
- 複屈折率制御可能な新しい非線形光学材料GdYCOB結晶の開発
p.193~199
- 小特集:バルク成長分科会特集--結晶の完全性を目指して
p.200~228
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 雑誌
- ISSN
- 0385-6275
- ISSN-L
- 0385-6275
- Title
- Title Transcription
- ニホン ケッショウ セイチョウ ガッカイシ
- Volume
- 25(1)-25(5) 19980000-19980000
- Author Heading
- 日本結晶成長学会 ニホン ケッショウ セイチョウ ガッカイ ( 00396133 )Authorities
- Publication, Distribution, etc.
- Publication Date
- 1998
- Publication Date (W3CDTF)
- 1998