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Table of Contents
76(7) 1993.07
- Ta介在層によるAl/Hf2層陽極化膜キャパシタの特性改善
p527~529
- Y添加Cu層を有するCu/TiN/Siコンタクト系のSi拡散挙動
p530~532
76(11) 1993.11
- Sn-Sb系はんだ材と積層金属層間の接着メカニズム
p711~721
- 均一電流密度で作製した陽極化成多孔質シリコンの基礎的性質
p722~729
- 走査型レーザ顕微鏡によるコンタクト表面の形状評価
p757~760
- フラッシュメモリの消去ブロック分割法の検討
p730~736
- ディジタル磁気記録におけるパーシャルレスポンス方式の等化特性改善
p763~766
76(8) 1993.08
- 膜電位感受性色素膜を用いた光ファイバにおいセンサ
p571~575
- Ta2N陽極酸化膜による耐熱性に優れた薄膜キャパシタの作製
p576~578
- 先端部のみ並列配置の支持片に搭載された開閉電気接点対の諸特性
p553~561
- AFMによるアラキジン酸カドミウムLB膜の表面構造の評価
p537~544
- 結晶化された半絶縁性多結晶シリコン(SIPOS)膜の電気的特性
p545~552
76(12) 1993.12
- 電子情報通信学会論文誌C-2 著者索引76巻(1993年)
p806~809
- LED発光強度の温度特性に対するSiNx膜のフィルタ効果
p771~775
- ゾル・ゲル法によるSiO2薄膜の合成と分子構造解析
p776~781
- 光磁気磁界変調記録における記録マークの解析
p792~799
76(9) 1993.09
- 光磁気記録における新たなn/m符号と修正ビタビ復号法
p607~614
- 3B-2T符号の擬似3値記録
p615~618
76(10) 1993.10
- 接触スポット内部の電流密度分布のシミュレーション
p637~643
- 圧縮応力誘起のホットキャリヤ電子捕獲準位低下現象
p663~669
- ひずみ補償によるSiGeB/Siヘテロ構造のB熱安定性向上
p655~662
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 雑誌
- ISSN
- 0915-1907
- ISSN-L
- 0915-1907
- Title
- Title Transcription
- デンシ ジョウホウ ツウシン ガッカイ ロンブンシ
- Volume
- C-2276(7) (通号 55)-76(12) (通号 60) 19930700-19931200
- Part Title
- エレクトロニクス電子素子・応用
- Author/Editor
- 電子情報通信学会 編
- Author Heading
- 電子情報通信学会 デンシ ジョウホウ ツウシン ガッカイ ( 00258121 )Authorities
- Publication, Distribution, etc.