Lattice defects induced by annealing after n-type doping ion-implantation in silicon

• Material Type: 博士論文
• Title: Lattice defects induced by annealing after n-type doping ion-implantation in silicon
• Author/Editor: 上杉文彦 [著]
• Author Heading: 上杉, 文彦 ウエスギ, フミヒコ
• Publication, Distribution, etc.: [上杉文彦]
• Publication Date: [2000]
• Publication Date (W3CDTF): 2000
• Extent: 1冊
• Alternative Title: n形ドーピングイオン注入後の熱処理によってシリコン中に誘起される格子欠陥 nガタ ドーピング イオン チュウニュウ ゴ ノ ネツ ショリ ニ ヨッテ シリコン チュウ ニ ユウキ サレル コウシ ケッカン
• Degree grantor/type: 東京理科大学
• Date Granted: 平成12年3月20日
• Date Granted (W3CDTF): 2000
• Dissertation Number: 甲第410号
• Degree Type: 博士 (理学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2001-A612
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000395439; http://id.ndl.go.jp/bib/000000395439
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

Abstract

1 Introduction

2 Antimony implantation

2.1 Experimental procedure